본 발명은 p-n 접합 다이오드를 패터닝하여 두 개의 다이오드를 형성시킨 두 개의 칩을 접합함으로써, 반도체 공정을 통해 브리지 다이오드를 회로기판 상에 집적할 수 있는 브리지 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로, 제 1 p형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 1 및 제 2 p-n 접합 다이오드를 형성하고, 제 1 n형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 3 및 제 4 p-n 접합 다이오드를 형성하는 제 1 단계; 제 1 및 제 2 p-n 접합 다이오드 상에 제 1 및 제 2 리드 프레임을 각각 접합시키고, 제 1 p형 반도체 기판의 일정 부위에 제 3 리드 프레임을 접합시키며, 제 3 및 제 4 p-n 접합 다이오드의 공통단자인 제 1 n형 반도체 기판의 일정 부위에 제 4 리드 프레임을 접합시키는 제 2 단계; 제 1 및 제 2 p-n 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 n형 반도체 기판 사이에 노출된 제 1 p형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 1 절연막을 도포하며, 제 3 및 제 4 p-n 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 p형 반도체 기판 사이에 노출된 제 1 n형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 2 절연막을 도포하는 제 3 단계; 및 제 1 절연막이 도포된 제 1 및 제 2 p-n 접합 다이오드에 부착된 제 1 및 제 2 리드 프레임과 제 3 및 제 4 p-n 접합 다이오드의 제 2 및 제 3 p형 반도체 기판들을 각각 전도성 물질로 접합시켜 브리지 다이오드를 형성하는 제 4 단계를 포함한다.

반도체 공정 상에서 브리지 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 P형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 1 및 제 2 P-N 접합 다이오드를 형성하고, 제 1 N형 반도체 기판을 공통단자로 하는 제 3 및 제 4 P-N 접합 다이오드를 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 및 제 2 P-N 접합 다이오드 상에 제 1 및 제 2 리드 프레임을 각각 접합시키고, 상기 제 1 및 제 2 P-N 접합 다이오드의 공통단자인 상기 제 1 P형 반도체 기판의 일정 부위에 제 3 리드 프레임을 접합시키며, 상기 제 3 및 제 4 P-N 접합 다이오드의 공통단자인 상기 제 1 N형 반도체 기판의 일정 부위에 제 4 리드 프레임을 접합시키는 제 2 단계; 상기 제 1 및 제 2 P-N 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 N형 반도체 기판 사이에 노출된 상기 제 1 P형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 1 절연막을 도포하며, 상기 제 3 및 제 4 P-N 접합 다이오드를 이루는 제 2 및 제 3 P형 반도체 기판 사이에 노출된 상기 제 1 N형 반도체 기판을 완전히 덮도록 제 2 절연막을 도포하는 제 3 단계; 및 상기 제 1 절연막이 도포된 상기 제 1 및 제 2 P-N 접합 다이오드에 부착된 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임과 상기 제 3 및 제 4 P-N 접합 다이오드의 상기 제 2 및 제 3 P형 반도체 기판들을 각각 전도성 물질로 접합시켜 브리지 다이오드를 형성하는 제 4 단계 를 포함하는 브리지 다이오드 제조 방법.

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